對于柔性顯示器、柔性太陽能電池、柔性傳感器等柔性電子器件，光學透明導電膜是至關重要的部件。其中，氧化銦錫(ITO)因其良好的光學透明性和導電性，被廣泛用于制備各種柔性透明導電膜。為了獲得更好的導電性，ITO通常需要在250℃以上退火，實現其從非晶結構向多晶結構的轉變。然而，高溫退火對導電膜的光學透明性有負面影響，如何平衡ITO導電膜的導電性和透過率是一個技術挑戰。

近期，研究工作人員進行發展了一種磁控濺射技術沉積ITO薄膜的低溫以及等離子體退火過程中工藝，研究了等離子體氬氣（Ar）與氧氣（O2）的類型企業及其經濟持續學習時間等對薄膜的透光性與電阻率的影響，并經中國低溫（＜50℃）處理可以同時也是實現了ITO薄膜的高透光率和低電阻率。

結果表明: 透明導電薄膜的微觀結構在很大程度上取決于 ITO 的沉積條件和退火工藝，濺射功率和 O _ 2濃度對薄膜的性能有重要影響。研究人員首先以450μm 厚的浮法玻璃為基底，采用100W 的低濺射功率和6vol% O2濃度，然后對300W Ar 等離子體進行40min 退火，制備出綜合性能良好的薄膜。可見光區平均透過率為94% ，電阻率為2.3 × 10? ？3ω · cm.

相比之下，無O2濺射制備的導電膜透過率為89%，電阻率為0.9×10？3ω厘米.這表明用Ar等離子體的退火處理更有效。此外，發現等離子退火工藝可以并行處理多個晶片，這與激光束工藝不同。退火處理的深度約為370納米。

在玻璃表面制備 ITO 導電薄膜工藝參數的基礎上，進一步采用旋涂法制備的5μm 厚聚酰亞胺(PI)薄膜作為襯底，在50 °C 下制備透明的 ITO 導電薄膜并進行退火處理，實現了全透明柔性光學探針。低溫處理技術使得在低溫下制備聚合物透明 ITO 導電薄膜成為可能，在光學和電子器件領域具有良好的應用前景。